每瓦性能凌驾63% Intel“2nm”工艺纸里无敌：妥妥的王者

大家都知道Intel的4年搞定5代CPU工艺的战略了，这个过程中最重要的提升就是20A及18A两代工艺，将在2024年上半年、下半年准备就绪，相当于友商的2nm及1.8nm工艺，比台积电的进度要快2年。

Intel的目标是在2025年实现重返半导体工艺领先地位，能不能成功的关键就看20A及18A了。

从技术上来说，20A及18A不仅是首款进入埃米节点的工艺，还会首发两大突破性技术，也就是RibbonFET和PowerVia，其中RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。

该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。

PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

最终到底如何？以20A为例，它的每瓦性能比Intel 3高出15%，后者又比Intel 4高出18%，Intel 4又比当前的Intel 7工艺提升20%的每瓦性能，算下来20A比当前的13代酷睿能效高出63%以上。

如此夸张的能效下，有网友计算了下，这就意味着当前250W酷睿i9-13900K的性能当时候至需要90W即可，不需要高功耗就能实现强大性能释放，对笔记本来说尤其重要。

当然，这些还是20A工艺的纸面性能，具体如何还要等产品上市，首发20A工艺的应该是15代酷睿Arrow Lake了，明年上市。