Intel 20A工艺杀脚锏之一惊艳尾秀!反超台积电便靠它

Intel一直在积极推进四年五代工艺节点的战略,2021-2024年间将陆续投产7、4、3、20A、18A。

其中,20A、18A将迈入埃米时代,大致可以立即为2nm、1.8nm,前者将追平台积电,后者则最终实现反超。

Intel 20A工艺将引入两种全新的工艺,PowerVia背部供电、RibbonFET全环绕栅极晶体管。

PwoerVia技术将传统位于芯片正面的供电层改到背面,与信号传输层分离,通过一系列TSV硅穿孔为芯片供电,可以大大降低供电噪声、电阻损耗,优化供电分布,提高整体能效。

计划6月11-16日举办的VLSI Symposium 2023研讨会上,Intel将首次展示PowerVia技术,不过用的不是20A工艺,而是基于Intel 4工艺的一颗测试芯片,架构则是E核。

这颗核心的面积仅为2.9平方毫米,得益于PowerVia技术,大部分区域的标准单元利用率都超过了90%(图中橙色区域),其余的也基本都在80%之上(图中绿色区域)。

同时,PowerVia技术还带来了超过5%的频率提升,吞吐时间略高但可以接受,功耗发热情况符合预期。

除了用于自家产品,Intel也将使用PowerVia技术为客户代工,这也是提前展示其能力的一个原因。